国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种优化Nord Flash字线氧化层均匀性的方法”的专利，公开号CN122952600A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种优化NordFlash字线氧化层均匀性的方法。针对现有工艺中通过沉积厚氧化层再经平坦化与湿法刻蚀减薄形成字线氧化层，导致厚度均匀性差、易产生字线点蚀或接触电阻偏大的问题，本发明在形成字线凹槽后，直接沉积目标厚度的第一氧化层作为字线氧化层，并依次形成牺牲保护层和第二氧化层；经平坦化显露保护层后，利用保护层与氧化层的高刻蚀选择比进行第一刻蚀，使凹槽底部的字线氧化层免受侵蚀；最后在后续存储单元制造流程中去除该保护层。本发明将字线氧化层厚度仅由单次沉积工艺决定，显著提升了片内、片间及晶圆间的厚度均匀性，且保护层可随原有工艺步骤原位移除，无需额外掩模或刻蚀工序，与现有工艺高度兼容。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2241条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息8010条，此外企业还拥有行政许可444个。

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作者：情报员