国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光检测装置”的专利，公开号CN122953790A，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本发明减少了暗电流并抑制了量子效率的降低。该光检测装置包括：半导体层，其在一个方向上具有厚度；光电转换区域，其设置在所述半导体层中并由分离区域分隔；和光电转换部，其设置在所述光电转换区域中，并被构造为执行光到信号电荷的光电转换。所述分离区域包括：挖掘部，其设置在所述半导体层中并在所述一个方向上延伸；固定电荷膜，其具有固定电荷并且沿着所述挖掘部的侧面部设置；和金属膜，其在所述挖掘部的内侧沿着所述固定电荷膜设置。

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作者：情报员