国家知识产权局信息显示，亚芯半导体材料（江苏）有限公司申请一项名为“一种氮化镓靶材的制备方法与氮化镓靶材”的专利，公开号CN122942013A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓靶材的制备方法与氮化镓靶材，属于氮化镓靶材技术领域；本发明的氮化镓靶材的制备步骤包括：（1）衬底的预处理；（2）采用等离子体增强型原子层沉积技术结合循环工艺使氮化镓、氮化硅交替堆叠生长；（3）退火；所述循环工艺包括循环采用等离子体增强型原子层沉积技术制备氮化镓6~7次与循环采用等离子体增强型原子层沉积技术制备氮化硅3~4次；其中，循环采用等离子体增强型原子层沉积技术制备氮化硅3~4次采用梯度沉积工艺；本发明制备得到的氮化镓靶材的粗糙度小且电阻率低。

天眼查资料显示，亚芯半导体材料（江苏）有限公司，成立于2019年，位于常州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，亚芯半导体材料（江苏）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可15个。

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作者：情报员