近期随着科技股暴跌，韩国舆论开始担心存储半导体超级繁荣周期或昙花一现，此前李在明政府的“国运级押注”风险日益增大。
据悉，韩国方面的担忧主要有两点：其一是整个行业层面AI引发的半导体需求见顶；其二是中国企业长鑫存储在半导体技术上的追赶。
10月13日，长鑫存储表示将在年内推出应用下一代DRAM技术4F²的服务器用产品，导致全球半导体股大幅震荡，三星、SK海力士、美光三巨头均出现暴跌。
4F²是目前商用DRAM的下一代结构，各大存储芯片巨头均在全力研发中，三星电子今年2月公开了采用4F²架构的DRAM研究进展，而SK海力士早在去年的学术会议上就发表了相关技术的开发方向。
韩媒认为，仅凭长鑫存储发布的简要信息，还难以判断产品的实际竞争力，因为实验室技术跟最终大规模交付用户是两码事，通常存在两年左右的时间差。
比如2022年媒体曾报道长鑫存储以当年年底量产DDR5为目标，但产品在市场上正式推出已是2024年底。
另外，即使发布了样品，与实现高良率的批量生产是两回事，韩媒判断长鑫存储所说的“年内推出产品”大概率仅是试制品，想批量生产并保障良率是很难的。
然而经过最近几个月的“洗礼”，韩国股市早就是惊弓之鸟、草木皆兵，立刻做出强烈反应。
有评论员称：“中国在移动通信、电动汽车等领域曾实现‘变道超车’，半导体领域也可能实现。若韩企失去技术竞争力，当前的狂欢只能变成一时回忆。除去半导体，韩国的产业竞争力已进入下行通道，今年超3%的GDP增速将只是一场仲夏夜之梦。”
韩国科学技术院（KAIST）电气电子工学部教授金正浩则指出：“如果AI基本面受损，英伟达、AMD、台积电的股价本应崩盘，但它们都没事，风险因素似乎只集中在存储器上。我认为很大程度上是因数据中心业务盈利能力下降的担忧，动摇了整体投资情绪。”
下图为10月14日，首尔江南区COEX会展中心，SK海力士社长在半导体大会上发表主旨演讲。
存储半导体是一个较为广泛的概念，包括HBM、DRAM与NAND，其中HBM和DRAM主要承担高速运行时存储，NAND即常见的固态硬盘和手机存储卡等。
这里面HBM是最高端的，用于GPU和AI相关的高性能计算，SK海力士做得最好，三星电子和美光紧随其后，长鑫存储仍处于研发和小批量试生产阶段。
其次为DRAM，也就是内存条，三星电子、SK海力士、美光和长鑫存储为行业“四巨头”，近期报道的长鑫4F²架构即发生在该领域。
再其次为NAND，也就是硬盘，三星、SK海力士、美光、铠侠（日本）、闪迪（美国）都能做，国内代表则是另一家公司——长江存储。
2026年第一季度，三星电子在全球DRAM市场斩获38%的份额，连续两个季度稳居榜首。
在HBM市场，SK海力士以58%的份额继续保持领先地位，英伟达是其主要客户。
长鑫存储在HBM市场尚无明显存在感。
在DRAM市场，2026年第二季度全球营收市占率从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。
长鑫存储DRAM市场份额的暴涨得益于两方面因素：其一是自身技术进步，其二则是另外三家巨头集中资源生产附加值更高的HBM，导致DRAM供应短缺，长鑫存储因此受益。
如图所示，半导体正成为中国对外出口的重要产品。
根据海关总署的数据，2025年9月半导体出口额仅190.5亿美元，占全部出口的5.8%，仅仅一年之后，2026年9月半导体出口额就飙升至449.51亿美元，占出口总额的10.1%。
国内市场的进步很可能比出口更快，有韩国专家表示：“中国先靠通用型DRAM扩大市场份额，再以积累的经验为基础，不断升级至HBM。由于全球大部分电子产品都在中国境内制造，长鑫存储能够制造的芯片越高端，需求方也就越广。”
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