国家知识产权局信息显示,力旺电子股份有限公司取得一项名为“非易失性存储器的记忆胞与阵列结构及其相关的控制方法”的专利,授权公告号CN116741243B,申请日期为2023年2月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,力旺电子股份有限公司取得一项名为“非易失性存储器的记忆胞与阵列结构及其相关的控制方法”的专利,授权公告号CN116741243B,申请日期为2023年2月。
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