截至2026年10月21日10:16，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.23%，早盘最高涨超2%。成分股澜起科技上涨6.00%，恒玄科技上涨5.98%，翱捷科技上涨4.24%，优迅股份，思瑞浦等个股跟涨。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手4.08%，成交2469.28万元。拉长时间看，截至10月20日，科创芯片ETF博时近1周日均成交5131.54万元。

权威研究机构集邦咨询（TrendForce）最新数据显示：由于供应端持续紧张以及需求端的强劲支撑，预估2026年四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。从涨幅来看，相比较二季度（约80%）和三季度（约40%）呈现增速放缓情况，但DRAM市场整体依然处于价格高位，处于供应紧张、需求强劲的周期中。

在HBM方面，由于供应吃紧，英伟达据报正考虑将RubinUltra的HBM堆叠层数从12层降至8层。若其他条件不变，单颗GPU的HBM容量将减少约33%，但同样的DRAM芯片供应理论上可支持多50%的GPU出货。不过，8层HBM因基础裸片成本占比更高，2027年每Gb成本预计反而比12层高出10%至20%。

中信证券表示，尽管存储产品的涨价幅度在放缓，但考虑到未来1-2年存储市场料仍将处于供不应求的状态，未来有望对存储公司毛利率以及盈利能力提升形成支撑。伴随着存储公司长协的落地，主要存储厂商正以3–5年期的LTA合作模式抢占产能，进而提前锁定大客户需求。同时LTA通过采用灵活的定价机制，部分公司设置价格下限，未来对于公司盈利能力形成强有力的支撑，后续有望降低公司盈利的波动性，进而提高公司的估值水平。建议关注HDD、DRAM、NAND等细分赛道的投资机会。

资金流入方面，科创芯片ETF博时最新资金净流入575.22万元。拉长时间看，近9个交易日内，合计“吸金”3334.48万元。

科创芯片ETF博时(588990)紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年9月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、中微公司、澜起科技、中芯国际、海光信息、源杰科技、拓荆科技、华海清科、华虹宏力、中科飞测，前十大权重股合计占比60.73%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

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