国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT全集成基本逻辑门电路模块及其制备方法”的专利，公开号CN122952673A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT全集成基本逻辑门电路模块及其制备方法，属于半导体器件技术领域，具体包括制备在同一衬底和外延层上的一个耗尽型GaN HEMT晶体管和三个增强型GaN HEMT晶体管，通过隔离槽实现器件间的电气隔离；外延层采用成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P‑GaN层和盖帽层的层叠结构，其中耗尽型器件区域去除P‑GaN层；通过设计指定的源极、漏极、栅极金属互连结构，可分别实现非门、与非门、或非门及与或非门逻辑功能。本发明通过将不同类型HEMT器件全集成于同一衬底，并利用标准化模块阵列化排布，仅需调整金属互连版图即可实现不同逻辑功能，有效解决了现有技术中驱动电路专用性强、开发成本高的问题，显著提升了逻辑门的响应速度与耐压能力。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可8个。

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作者：情报员