IT之家 10 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，NVIDIA（英伟达）的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。

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当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计，提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

IT之家注意到，同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。