韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。

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这与当前一代 Groq LPU 的路线形成明显反差。现款芯片采用大容量 SRAM 的缓存设计，用来提供快速的解码输出。

但 SRAM 本身有绕不开的短板：容量较小，制程升级带来的密度收益也有限。报道指出，这使其在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

值得注意的是，同样走大 SRAM 技术路线的 Cerebras，此前已预告未来的 CS-6 将采用 3D 垂直集成 DRAM。两条路线在下一代产品上出现了相似的转向。