国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种基于氦气的等离子体刻蚀方法及特化ICP系统”的专利，公开号CN122952875A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于氦气的等离子体刻蚀方法及特化ICP系统，属于半导体等离子体刻蚀技术领域，包括电感耦合等离子体腔体；基片；RF线圈；匹配网络；屏蔽控温外壳，屏蔽控温外壳上分区安装有多个测温传感器和多个冷却风扇，各测温传感器与对应的冷却风扇联动；上盖板，上盖板设置于电感耦合等离子体腔体顶部，上盖板内部设有冷却水流道，上盖板上安装有测温传感器，冷却水流道上设有冷却水气动阀，测温传感器与冷却水气动阀联动，本发明由于He+离子质量极小，物理溅射率极低，且高热导率迅速将轰击能量导出，晶圆表面温度始终低于光刻胶变性阈值，彻底消除糊胶和晶格损伤。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息169条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员