国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“形成半导体封装件的方法以及半导体封装件”的专利，公开号CN122952983A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及形成半导体封装件的方法以及半导体封装件。形成半导体封装件的方法包括以下步骤：形成包括基底芯片、硅层以及在基底芯片和硅层之间的粘合层的载体芯片。核心芯片层叠在包括顶部芯片的晶圆上。载体芯片层叠在核心芯片上。包封层形成在晶圆上以覆盖核心芯片和载体芯片。去除硅层和粘合层。切割包封层和晶圆。

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作者：情报员