国内存储芯片市场的格局，最近正在悄然发生变化。
据报道，面对中国本土存储芯片厂商的快速成长以及AI需求持续升温带来的市场机遇，三星电子和SK海力士这两家韩国半导体巨头正计划升级其在中国的工厂产线。
以长江存储（YMTC）为代表的国产芯片厂商，近年来在技术和市场拓展上都取得了相当亮眼的成绩。根据市场调研机构Omdia的最新数据，长江存储在中国NAND闪存市场的份额一路飙升，今年第二季度已经达到了38.5%，不仅远超去年的28%，更是直接超越三星，一跃成为中国NAND市场份额最高的供应商。
反观两大韩国品牌，在本土厂商的竞争压力下，市场份额出现了不同程度的下滑。三星在中国的市占率从36%滑落至33.5%，SK海力士也从20%降到了17%。
市场份额提升的同时，长江存储也在持续推进高层数NAND产品的研发和量产。不仅稳步推进160层和232层的主流产品，小批量生产的294层芯片也已问世，甚至已经在规划研发300层以上的超高堆叠产品。要知道，存储芯片的堆叠层数越高，容量密度就越大，成本控制也更具优势，对于手机、电脑以及如今火爆的AI数据中心来说至关重要。
面对国产厂商这样步步紧逼的势头，两大巨头显然坐不住了，开始加速改造位于中国的基地。
首先是三星，其位于陕西西安的工厂地位举足轻重，承担了三星全球约40%的NAND芯片产能，目前该厂主要生产约200层的芯片。为了跟上市场步伐，三星启动了内部代号为“Monami”（法语“我的朋友”）的项目，计划把西安的生产线改造为生产286层V9规格的先进产线，目标是在今年12月实现每月生产5000片晶圆，并在2027年12月将月产量提升至4万片。
另一边，SK海力士则聚焦于辽宁大连的工厂。这座工厂是其收购英特尔NAND业务后保留的核心生产基地。目前大连工厂主要生产192层的产品，SK海力士正计划将其NAND产品升级至240层及以上。
从长江存储市场份额持续提升，到三星、SK海力士加快升级中国工厂，国内NAND闪存市场的竞争正在进入新阶段。对于国产厂商来说，市场份额增长只是第一步，如何持续突破高层数芯片技术、提高量产能力，并在成本和性能上形成更强的竞争力，才是接下来需要面对的关键挑战。
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