国家知识产权局信息显示，科-尼克斯股份有限公司申请一项名为“接合性能优异的用于半导体蚀刻工艺的氧化钇-氧化铝陶瓷接合型窗口及其制备装置”的专利，公开号CN122950349A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种接合性能优异的用于半导体蚀刻工艺的氧化钇‑氧化铝陶瓷接合型窗口及其制备装置。所公开的接合性能优异的用于半导体蚀刻工艺的氧化钇‑氧化铝陶瓷接合型窗口包括氧化铝陶瓷层、氧化钇层和接合层，所述接合层包括形成在所述氧化铝陶瓷层上的第一接合层和形成在所述第一接合层上的第二接合层，通过所述第一接合层和所述第二接合层使所述氧化铝陶瓷层与所述氧化钇层牢固接合，从而可以同时实现防止所述氧化钇层的剥离现象、确保优异的耐等离子体性能和降低制备成本的优点。

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作者：情报员