国家知识产权局信息显示，湖北通格微电路科技有限公司申请一项名为“芯片的玻璃基封装结构及其制备方法、封装芯片”的专利，公开号CN122952974A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片的玻璃基封装结构及其制备方法、封装芯片。玻璃基封装结构包括依次层叠设置的载板、第一缓冲层、布线层、第二缓冲层及芯片键合层。第一缓冲层和第二缓冲层采用树脂基质掺杂填料颗粒的复合膜结构，树脂基质选自聚酰亚胺以及环氧树脂中的至少一种，填料颗粒选自氧化硅、氧化铝以及氮化硅中的至少一种。聚酰亚胺、环氧树脂具有优异的机械性能、耐热性能以及绝缘性能，起到应力缓冲作用。通过掺杂填料颗粒，调节缓冲层的热膨胀系数，形成热膨胀系数的过渡，消除层间的热膨胀系数突变，减少应力产生。第一缓冲层与第二缓冲层形成对称缓冲结构，显著提升应力缓冲效率，降低了玻璃基封装结构的翘曲度，避免热循环过程中的层间开裂。

天眼查资料显示，湖北通格微电路科技有限公司，成立于2022年，位于省直辖县级行政区划，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48500万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北通格微电路科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可28个。

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作者：情报员