国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“晶片区的去除”的专利，公开号CN122952884A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开描述一种方法，其包括在第一区中在载体的表面上提供多个第一半导体管芯。在第二区中在所述载体上提供第二半导体管芯。在所述半导体管芯中的每个半导体管芯之间蚀刻沟槽，每个沟槽延伸到所述载体中达一定深度。将研磨箔片安装在所述载体上以将每个半导体管芯附接到所述研磨箔片。背面研磨所述载体的表面达所述深度。将载体箔片施加到所述载体的经背面研磨的表面。在与所述第一区对准的区中将所述研磨箔片或所述载体箔片改性，或者使用解除胶封模块将所述研磨箔片按压到所述载体箔片。然后从所述研磨箔片释放所述多个第一半导体管芯。在从所述载体去除所述研磨箔片时，所述多个第一半导体管芯从所述研磨箔片释放。

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作者：情报员