路透社报道，一边是快速崛起的中国对手，一边是美国的出口管制红线。
韩国两大存储芯片巨头，正在这两股力量之间小心翼翼地寻找出路。它们在中国的工厂，承担着全球存储芯片供应的重要份额，一举一动都牵动着整个行业的神经。
据四位知情人士透露，三星电子和SK海力士正在升级其位于中国的工厂，以生产更先进的NAND闪存芯片。两家公司向外界证实了升级计划，但未透露具体细节。
此举的目的有二：一是应对快速成长的中国竞争对手长江存储，二是满足人工智能热潮带来的强劲需求。
西安与大连的"换芯"工程
三星位于西安的工厂，贡献了其全球NAND闪存产量的约40%，地位举足轻重。这座工厂于2014年前后投产，是三星在海外最大的半导体投资项目之一，也是西安高新技术产业的重要支柱。
目前，这家工厂生产的是约200层的闪存芯片。根据代号为"Monami"的项目，三星计划将西安工厂改造为生产286层的第九代V-NAND闪存。
目标是在2026年12月达到每月5000片晶圆的产能，到2027年12月提升至每月4万片晶圆。这意味着，一年之内，先进产品的月产能将提升至原来的8倍。
三星在声明中表示，公司并未扩大产能，也没有新建制造设施。三星还表示，此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户日益增长的需求。
SK海力士位于大连的工厂目前生产192层产品，计划升级到240层或更高。
这张摄于2022年2月25日的插图展示了韩国半导体供应商SK海力士的存储芯片，它们位于一台电脑的电路板上。路透社/Florence Lo/插图
据悉，SK海力士在大连获准生产的上限为240层。公司可能会寻求美国许可，在当地开展300层以上芯片的研发工作。
大连工厂是SK海力士2021年收购英特尔NAND业务时一并获得的，也是其子公司Solidigm唯一的NAND生产基地。Solidigm正在筹备在美国上市。
这张摄于2022年2月25日的插图展示了韩国半导体供应商SK海力士的存储芯片，它们位于一台电脑的电路板上。路透社/Florence Lo/插图
与此同时，SK海力士还在与美国政府洽谈，计划在美国新建一座NAND工厂。
层数为何如此重要
NAND闪存是手机、电脑、固态硬盘和数据中心服务器中用于长期存储数据的核心部件。
所谓"层数"，可以理解为把存储单元像盖楼一样一层层往上叠加。
楼层越高，单位面积能存储的数据就越多，芯片的容量和性价比也就越高。
但楼越盖越高，施工难度也随之剧增。每增加一批层数，都需要更精密的刻蚀和沉积设备，这正是美国出口管制的关键着力点。
如今，AI数据中心对大容量、高性能存储的需求猛增，进一步推动了闪存技术的升级竞赛。
在中国以外，三星已经销售最高286层的产品，并在今年8月展示了400层以上的原型芯片。SK海力士则已销售最高321层的产品。
相比之下，两家公司在中国工厂的生产层数明显落后，这与美国的管制政策密切相关。
长江存储的强势追赶
真正让韩国企业感到压力的，是中国本土企业长江存储的迅速崛起。
据市场研究机构数据，今年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，高于2025年全年的28%，已经超越三星。
同期，三星的份额从36%降至33.5%，SK海力士则从20%降至17%。
长江存储目前主要生产160层和232层芯片，还有少量294层产品，并计划推出300层以上的产品。长江存储未就此发表评论。
作为中国存储芯片产业的代表企业，长江存储在受到美国制裁的情况下仍实现了快速增长，凭借自主研发的架构技术打开了市场。
在管制红线下"走钢丝"
然而，韩国企业的升级之路并不平坦。
自2022年起，美国限制部分芯片制造设备对华出口。三星和SK海力士每年都需要向美国申请许可，才能在中国工厂安装美国制造的设备，比如刻蚀机。
2025年，美国商务部工业与安全局曾表示，不打算批准这些工厂的升级或扩产，但有意许可现有工厂继续运营。
此次升级是否已获得相关批准，目前尚不清楚。美国商务部工业与安全局没有直接回应相关询问。
SK海力士表示，升级工作是在与华盛顿密切沟通的情况下进行的。
两家公司的高管此前都曾公开表示，地缘政治紧张局势正在削弱它们在华业务的经营。
对韩国企业而言，中国既是重要的生产基地，也是庞大的消费市场，轻易放弃代价巨大。
但在中美科技竞争的大背景下，它们必须在商业利益与美国政策之间寻找微妙的平衡。
这场围绕闪存层数的升级竞赛，既是技术之争，也是全球半导体格局深刻调整的一个缩影。
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