美光在当地时间举行的2026年度技术网络研讨会上，把DRAM、泛HBM、NAND与SSD都过了一遍。其中被单独拎出来讲的，是堆叠集成的泛HBM内存产品线。

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按照美光的预计，标准HBM5面世的2028年，还会有两种新型3DS内存一同到来：vHBM和vEIM。

vHBM可以理解为3D集成版本的HBM。它把DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片垂直堆叠在一起，目的是进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。这种形态也能与标准2.5D HBM共存，不是替代关系。

vEIM在结构上与vHBM类似，但设计瞄准的是端侧AI推理场景。初代产品的目标写得很具体：2TB/s带宽，以及＜1pj/bit的能效。

为了把这两种产品做出来，美光计划应用两项关键工艺：无凸块的混合键合技术，以及导入集成散热解决方案。

从时间点看，vHBM和vEIM被放在了HBM5同一年，堆叠集成的路线图已经排到了2028年。