美光在当地时间举行的2026年度技术网络研讨会上，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD做了展望。闪存类别里最受关注的一项，是预计2027H2产能爬坡的G11 NAND。

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一个细节值得留意：这家企业似乎跳过了G10世代，直接进入G11。产品节奏上的这一跳，比参数本身更能说明问题。

G11 NAND的堆叠层数超过400层，应用晶圆对晶圆键合技术。按面积计算的存储密度，是现有276层G9 NAND的2倍左右。

性能与能耗同步推进：可实现至高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗则减少25%以上。密度、速率、能耗三项指标被放在同一代产品里推进。

G11之后，美光计划在NAND中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集的单元架构，进一步强化节能属性。

面向数据中心，美光介绍了两种AI-class NAND设计：

  • 基于SLC的GPU直连IOPS优化产品
  • 类似HBF定义的带宽优化产品

两条路线分别指向IOPS与带宽，对应的是AI负载下两类不同的存储需求。美光同时展示了其全方位的AI优化存储解决方案。