国家知识产权局信息显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122952661A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括器件区和环绕器件区的引出区；位于所述器件区内的若干深沟槽电容；位于相邻深沟槽电容之间、以及位于所述深沟槽电容和所述引出区之间衬底上的隔离层。所述隔离层位于相邻深沟槽电容之间、以及位于所述深沟槽电容和所述引出区之间衬底上，实现相邻深沟槽电容之间的隔离以及所述深沟槽电容和所述引出区之间的隔离，避免后续在深沟槽电容上和所述引出区形成的电极金属层之间出现短接，相较于现有技术，本发明保证了深沟槽电容的面积，进而提高了深沟槽电容的电容值密度。

天眼查资料显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本480000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司参与招投标项目59次，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可453个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息231条，专利信息15110条，此外企业还拥有行政许可486个。

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作者：情报员