国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“硅片腐蚀清除方法、设备、介质及产品”的专利，公开号CN122952877A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种硅片腐蚀清除方法、设备、介质及产品；方法包括：对待腐蚀的半导体硅片进行表面活化预处理；将所述半导体硅片的硅片特征数据和表面活化预处理数据输入参数优化模型，得到初始腐蚀工艺参数；采用包含主腐蚀剂、表面改性剂和螯合剂的复合腐蚀液，按照所述初始腐蚀工艺参数对所述半导体硅片进行腐蚀处理；在所述腐蚀处理过程中，通过脉冲喷射和硅片姿态调节形成作用于所述半导体硅片表面的复合流场；获取所述半导体硅片表面的流场状态和残留状态，并根据所述流场状态和所述残留状态调节腐蚀工艺参数；腐蚀处理结束后，对所述半导体硅片进行等离子体原位残留清除。

天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息325条，此外企业还拥有行政许可89个。

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作者：情报员