美光科技当地时间10月21日召开技术研讨会。公司总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔表示，美光将沿6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²。

上述表态的背景是，长鑫存储本月早些时候推出4F²架构，据称其单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，一定程度摆脱了工艺瓶颈，推出后受到海外关注。

德波尔给出的理由是复杂度与成本上升。美光研究4F²已有20年，认为该方向没有可行的微缩路径，沿着这个方向没有实际收益。

德波尔称，外界在什么因素驱动DRAM晶圆位密度增加上存在一些用词上的误解，电容间距、电容尺寸和尺寸参数才是决定位密度理论极限的关键。

他表示，一切都围绕电容间距进行优化，在其之下可通过4F²或6F²适配给定的电容尺寸；真正关键在于，在给定的电容间距下如何优化工艺和成本。

德波尔还称，部分关于4F²与6F²的比较多少有些故弄玄虚（smoke and mirrors）。

沿着6F²路径，美光在1γ制程节点引入EUV（极紫外）光刻机；1δ良率正在爬坡，并将于2027年进入量产爬坡阶段。

1ε节点正在开发，将采用晶圆键合技术；其后一代将采用High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，再往后一代仍在路径探索中，计划采用新材料。

在1γ尺寸下，一根50微米粗的头发宽度可排下超1500个电容；1δ节点的位密度比1γ多20多个百分点，可支撑差异化的HBM5、vHBM、vEIM产品。

美光同时开发3D DRAM。随着DRAM在平面微缩，单元接近原子极限，必须“往上建”。

HBM也在代际演进中，同步走3D、定制化路线。美光2026年推出HBM4，2027年至2030年计划分别推出HBM4E、HBM5、HBM5E、HBM6。

德波尔解释，标准HBM通过中介层将存储放在计算芯片旁边；vHBM让存储直接堆在计算芯片上，存储到计算路径最短；定制HBM则与客户联合设计。

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本文源自：市场资讯

作者：知叙