国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122952629A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的表面形成有栅结构，且栅结构两侧的半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽内形成第一籽晶层，不同晶面的第一籽晶层的生长速度不同；对第一籽晶层执行回刻蚀工艺，以减薄第一籽晶层生长较快的晶面的第一籽晶层的厚度；在执行回刻蚀工艺后的第一籽晶层的表面形成第二籽晶层；在第二籽晶层上依次形成主体层和盖帽层。本发明的制备方法可以进行籽晶层厚度均匀性调控，使得籽晶层厚度更均匀。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1173条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员