国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“半导体器件及半导体器件制备方法”的专利，公开号CN122952645A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，具体提供一种半导体器件及半导体器件制备方法，旨在解决如何兼顾对半导体器件的阈值电压动态调节与沟道电场主动调节的问题，为此目的，本申请的半导体器件包括：半导体基板，该半导体基板包括鳍型结构，随形覆盖鳍型结构的栅极结构，以及，覆盖栅极结构侧壁的栅极隔离侧墙结构和辅助电极。该半导体器件通过在其栅极结构侧壁依序形成栅极隔离侧墙结构和辅助电极，辅助电极通过栅极隔离侧墙结构与沟道形成横向耦合电容，可构成兼具阈值电压调控与动态场板双重功能的半导体器件。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1220次，专利信息201条，此外企业还拥有行政许可115个。

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作者：情报员