国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“闪存的失效位元检测装置与方法”的专利,公开号CN122967736A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本发明提供一种闪存的失效位元检测装置与方法,可应用于具备高容量及高性能的三维NAND闪存。失效位元检测装置包括电容性导线、预充电电路、转换电路以及判断电路。预充电电路对电容性导线进行预充电。转换电路将闪存的页缓冲器的不同数据总线的当前逻辑值转换为放电电流。转换电路向电容性导线汲取放电电流。判断电路检查电容性导线的节点电压。判断电路基于节点电压在判断期间的下降速度去决定一下降时间长度。判断电路基于下降时间长度去判定所述不同数据总线的所述当前逻辑值是否为失效。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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