索尼半导体申请层叠器件、制造层叠器件的方法和电子设备专利,对准标记包括对可见光具有透明性的导电膜
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国家知识产权局信息显示,索尼半导体解决方案公司申请一项名为“层叠器件、制造层叠器件的方法和电子设备”的专利,公开号CN122972188A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,根据本公开的一个实施例的层叠器件包括第一基板、第二基板和对准标记。第一基板包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体层,并且包括包含半导体层的第一功能元件。第二基板层叠在第一基板上,并且与半导体层的第二表面相对。对准标记在半导体层的第二表面的一侧设置在第一基板中。对准标记包括对可见光具有透明性的导电膜。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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