国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122971253A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：衬底，其包括芯片区域和位于芯片区域外部的划道区域；多个键沟槽段，其设置在划道区域中，并且沿与芯片区域与划道区域之间的边界平行的第一方向排列；以及至少一个缓冲沟槽，其设置在划道区域中，位于芯片区域与多个键沟槽段之间，并沿第一方向形成。

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作者：情报员