美光在本周的一场活动上公布了下一代3D NAND的计划：代号G11，量产时间定在2027年下半年。公司给出的三个关键指标是——存储密度翻倍、I/O性能比现有产品提升50%、功耗下降。

打开网易新闻 查看精彩图片

按美光披露的口径，G11的位密度约为42 Gb/mm²，是当前G9（N160）世代3D TLC约21 Gb/mm²的两倍；接口速度从3,600 MT/s提升到5,400 MT/s；每比特数据传输能耗降低超过25%。

美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）在活动上表示，G11是“世界上最先进的NAND”，将基于晶圆对晶圆键合技术，在明年下半年爬坡量产。

德博尔解释这项技术引入的时机：“我们之前说过，会在成本划算、并且它能带来当时产品规格所需能力的时候引入晶圆对晶圆键合，现在就是这个技术的正确时机。”

键合带来的灵活性

晶圆对晶圆键合的做法，是把NAND器件的不同部分放在不同晶圆上、用不同工艺分别制造——用新的3D NAND节点做存储阵列，用逻辑工艺做外围电路和I/O——再把它们键合到一起。

美光已经连续几代采用CMOS-under-array（阵列下CMOS）架构，而晶圆键合提供了额外空间，让存储阵列和外围逻辑可以各自独立优化。按计划推进的话，这意味着更大的容量和更高的性能。

另一项变化是层数跨过400层。美光没有公布G11有源字线层的确切数量，也没有说明用了几个存储堆栈，但公司称该技术具备业界领先的存储单元间距，这暗示密度提升同时来自更多层数和更小的单元尺寸。

美光预计在2027年、接近量产启动时披露G11的更多技术细节。

G11之后：材料与单元架构

美光明确会沿三个维度继续推进3D NAND微缩，而不是单纯堆层数。早期3D NAND微缩主要靠增加存储层，未来世代还需要在X、Y轴上缩小单元尺寸，在提升位密度的同时控制制造复杂度。

为此，美光正在开发其所说的高迁移率材料、超高密度单元架构，以及更节能的器件和数据通路。这些技术有望改善晶体管特性、支持存储单元尺寸进一步缩小，并降低NAND内部搬运数据所需的能量。

德博尔谈到后续路线图时说：“G11之后我们有一条很强的路线图，今天不展开太多细节，但重点确实是新材料的单元架构致密化，以及继续聚焦XYZ三个方向的微缩。当前行业方向和美光的方向，都是既增加层数，也缩小单元尺寸。”

美光没有披露G11之后各世代的具体架构细节、密度目标或生产时间表。其路线图显示，未来的NAND微缩会越来越依赖材料、单元架构和外围电路上的创新，而不只是层数增加。

不过，有源层数可以说是提升存储密度最直接的路径，在3D NAND存储需求强劲的背景下，层数竞赛短期内不太可能明显放缓。

这些改进的落点，是面向客户端和数据中心的高容量SSD，以及需要更高带宽和能效的新型AI存储设备。