2026年10月21日，美光在技术与产品路线图网络研讨会上披露，下一代3D NAND闪存技术G11预计将于2027年下半年启动量产爬坡。
据悉，G11的位密度目标约为上一代G9（N160）的两倍，达到约42 Gb/mm²；NAND接口传输速率最高目标为5400 MT/s，较G9的3600 MT/s提升50%，每比特数据传输能耗则有望降低超过25%。
美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，G11将采用晶圆对晶圆键合（wafer-to-wafer bonding）技术，并于2027年下半年启动量产爬坡，目前已经到了这项技术具备成本效益、能够满足产品规格需求的适当时机。
该技术允许在不同晶圆上分别制造NAND存储阵列与外围逻辑、I/O电路，再通过键合将两者连接起来。美光此前已采用阵列下CMOS（CMOS-under-array，CuA）架构，而晶圆键合进一步为存储阵列与外围电路的独立优化提供了空间，有助于改善存储密度、接口性能和能效。不过，最终收益仍取决于工艺实现、键合良率及制造成本。
G11的另一项关键升级是堆叠层数将超过400层，美光尚未公布确切层数、有效字线层数及存储堆栈数量，但表示其存储单元间距将具有行业竞争力。位密度的提升预计不仅来自增加堆叠层数，也与存储单元尺寸及排列间距的优化有关。美光计划在明年接近量产启动时公布更多技术细节。
G11只是开胃小菜，在G11之后，美光还将继续沿X、Y、Z三个维度推进3D NAND微缩，而不再单纯依赖增加垂直堆叠层数。随着层数不断增加，制造工艺、结构控制和生产成本面临更大挑战。未来技术演进还需要缩小存储单元的横向尺寸、优化单元排列，并改善晶体管及外围电路的性能。
DeBoer表示，美光后续技术路线将重点关注新型高迁移率材料、更高密度的存储单元架构，以及能效更高的器件与数据通路，以改善器件特性、支持单元微缩并降低数据传输能耗。
目前，美光方面尚未公布G11之后各代产品的具体架构、密度目标和量产时间表。不过，其技术方向已经较为明确，未来3D NAND将通过增加层数、缩小单元尺寸、材料创新及外围电路优化等多种方式协同提升密度与能效。
总体而言，G11将晶圆对晶圆键合、超400层堆叠与更高位密度目标结合起来，体现了美光下一阶段3D NAND的技术方向。其实际竞争力仍需结合后续产品规格、制造良率、成本及终端应用表现进行评估。随着2027年量产爬坡时间临近，美光预计将进一步披露相关技术细节。
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