国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN122971281A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置包括：第一结构；第一接合结构，其定位在第一结构上，并且包括具有第一中心轴线的第一接合通孔以及具有与第一中心轴线对准的第二中心轴线的第一接合焊盘；第二接合结构，其定位在第一接合结构上，并且包括具有与第一中心轴线不对准的第三中心轴线的第二接合通孔以及具有与第一中心轴线对准的第四中心轴线的第二接合焊盘；以及第二结构，其定位在第二接合结构上。

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作者：情报员