国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制作方法”的专利，公开号CN122971179A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件及其制作方法，所述方法主要先形成一第一金属间介电层于一基底上，然后形成一第一金属内连线于该第一金属间介电层内，形成一停止层于该第一金属间介电层上，图案化该停止层以形成一开口，形成一下电极于该开口内，形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于该下电极上，再图案化该MTJ堆叠结构以形成一MTJ。

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作者：情报员