来源：新浪证券-红岸工作室

10月25日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件”的专利。申请公布号为CN122971185A，申请号为CN202611235673.4，申请公布日期为2026年10月23日，申请日期为2026年8月14日，发明人刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师宋东阳、侯丽丽，分类号H10P14/24、H10B43/30。

专利摘要显示，本公开涉及电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件。在一方面中，提供了一种电荷捕获层的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积形成第一多晶层；中断沉积，并向第一多晶层的表层引入晶格缺陷，以在表层形成再形核点；以及在引入晶格缺陷的所述表层上继续沉积形成第二多晶层，以获得所述电荷捕获层；其中，第一多晶层的厚度为电荷捕获层的目标厚度的30%~60%。由此，提高了电荷捕获层的捕获能力。

西安奕材是国内12英寸半导体硅片领域核心厂商，2016年3月16日注册成立，2025年10月28日登陆上海证券交易所，注册及办公地均位于陕西省西安市。

公司专注于12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖大硅片、半导体、MCU概念板块。

2026年三季度，西安奕材实现营业收入26.51亿元，在所属7家半导体材料样本企业中排名第4，当期行业营收第一名有研新材为84.62亿元、第二名立昂微为33.2亿元，行业平均营收31.05亿元，公司营收水平与行业中位数持平；同期实现净利润1.51亿元，同样在7家样本企业中位列第4，行业净利润第一名中船特气为6.61亿元、第二名有研新材为2.59亿元，行业平均净利润2.01亿元，公司净利润也与行业中位数持平。

指标类型 当期数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数 营业收入 26.51亿元 4/7 第一名有研新材84.62亿元，第二名立昂微33.2亿元 31.05亿元 26.51亿元 净利润 1.51亿元 4/7 第一名中船特气6.61亿元，第二名有研新材2.59亿元 2.01亿元 1.51亿元

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359045.72026-09-03CN122872096A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟2晶圆及其键合方法、以及键合设备发明专利CN202611359102.12026-09-03CN122872097A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟3离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359012.22026-09-03CN122872095A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟4一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底发明专利发明专利申请公布、公布CN202611359822.82026-09-03CN122892481A2026-10-09蒋治国、兰洵、岳中、李娟5含硅基薄膜层的衬底的制备方法、衬底及射频前端芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202611235694.62026-08-14CN122803599A2026-09-22车宇航、王文娟、张博、兰洵6抛光垫的处理方法、装置及抛光设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611233998.92026-08-14CN122938730A2026-10-20张申申7半导体晶圆及其制备方法、射频前端芯片发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611235696.52026-08-14CN122784317B2026-10-23张博、王文娟、车宇航、刘贵浩、兰洵8电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235673.42026-08-14CN122971185A2026-10-23刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵9一种COP缺陷检测方法及装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202611188680.32026-08-06CN122922097A2026-10-16万珣、苗小明、张泽坤10硅片线切割质量评估方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利CN202611155807.12026-07-31CN122866151A2026-10-02任林11晶圆容器条码识别方法、系统、设备及计算机存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611145363.32026-07-30CN122947789A2026-10-20叶力文12定盘、双面研磨设备和研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057074.82026-07-16CN122683611A2026-09-04秦文龙13半导体基底的处理方法及处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610914299.42026-06-24CN122679840A2026-09-01张申申14一种单晶生长设备的控制方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610916445.72026-06-24CN122687338A2026-09-04潘浩、张鹏举15分区冷却系统、冷却控制方法、晶棒、晶圆及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610919944.12026-06-24CN122687334A2026-09-04潘浩、崔源进、张鹏举16对齐度测量装置和对齐度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610826726.32026-06-09CN122505132A2026-08-04陈文洁17一种硅片分离设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610828346.32026-06-09CN122747192A2026-09-15白皓、范明亮、张伟18抛光垫清洁装置及方法、抛光设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610815519.82026-06-08CN122559886A2026-08-14马科宁19基于多智能体的工艺监控系统、方法及晶圆制造系统发明专利公布CN202610816825.32026-06-08CN122732505A2026-09-11袁力军、兰洵、张婉婉、李安杰、李彤20一种热补偿方法和热补偿装置发明专利公布CN202610810772.42026-06-05CN122425806A2026-07-21齐凌博、王刚、吴志刚21一种晶圆表面缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610807347.X2026-06-05CN122602836A2026-08-18仝临杰、郭宏雁、马强强22一种防溅射装置、杯体组件以及单片清洗机发明专利实质审查的生效、公布CN202610810286.22026-06-05CN122679843A2026-09-01左斌、夏新超、陈海龙、王颖、张树星23晶圆全生命周期追踪管理系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610809606.22026-06-05CN122693691A2026-09-04张进宝24一种控制晶圆生产的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610810841.12026-06-05CN122719391A2026-09-08郑文腾25包装袋的真空检测系统、方法、装置、设备及存储介质发明专利公布CN202610809800.02026-06-05CN122704550A2026-09-08王奕杰26晶圆缺陷检测模型的训练方法、装置、电子设备及介质发明专利公布CN202610810141.22026-06-05CN122737651A2026-09-11张申申27一种探头保护装置及探头保护方法发明专利公布CN202610808477.52026-06-05CN122723488A2026-09-11胡一洲28硅片切割质量判定方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610806949.32026-06-05CN122723877A2026-09-11李乾康29预测硅片时间依赖性雾的方法、装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610810722.62026-06-05CN122766315A2026-09-15齐凌博30硅片盒外观检测方法和检测系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610808410.12026-06-05CN122780161A2026-09-18王奕杰、韩嘉豪、吕天爽31抛光方法、抛光系统及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202610802574.32026-06-04CN122606459A2026-08-21张越、刘还平、宋国岗、方圭哲32量测硅片电阻率的方法及硅片电阻率的量测装置发明专利公布CN202610798735.62026-06-04CN122719422A2026-09-08车宇航、兰洵33一种硅晶片的制备方法及硅晶片发明专利实质审查的生效、公布CN202610792164.52026-06-03CN122766253A2026-09-15蔡媛媛、申艳蕊34测量方法及装置、监测方法及装置、单晶晶棒发明专利实质审查的生效、公布CN202610734168.82026-05-26CN122670797A2026-09-01赵亮35一种用于制备硅片样品的自动化系统、方法及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610678751.12026-05-18CN122612306A2026-08-21史铁柱、庞鲁、王龙36晶圆放置监测装置、方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610674767.52026-05-15CN122514215A2026-08-04张申申37晶圆边缘磨轮的设计参数确定方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610674985.92026-05-15CN122571809A2026-08-14袁力军、李彤、兰洵、张婉婉、李安杰38硅片边缘倒角的诊断方法、装置、模型训练方法及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610675081.82026-05-15CN122597286A2026-08-18张申申39缺陷晶圆的识别方法、识别装置、设备及介质发明专利公布CN202610673509.52026-05-15CN122719389A2026-09-08马强强、李康康40外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利公布CN202610661915.X2026-05-14CN122484906A2026-07-31卢旭辉、贾帅41切割后的晶圆的处理方法、处理装置、设备及介质发明专利公布CN202610666255.42026-05-14CN122712216A2026-09-08张宁轩、黄兆皓42外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610657450.02026-05-13CN122503940A2026-08-04杨晨辉、贾帅、卢旭辉43一种外延片的制备方法和外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610607515.02026-05-06CN122555392A2026-08-11何斌斌、金柱炫、王迪44采样设备、监测系统及挥发性有机物的采样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610490677.02026-04-14CN122329768A2026-07-03卓倩倩、齐凌博45晶圆缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利公布CN202610491002.82026-04-14CN122438553A2026-07-21王昭、庞鲁46用于调整外延反应腔内基座位置的方法及控制设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610461476.82026-04-09CN122406367A2026-07-17口彦龙、贾帅、杨晨辉、刘世雄47外延片生长方法、外延片生长设备以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384651.82026-03-26CN122169208A2026-06-09梁鹏欢、张海洋48外延片生产方法以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384646.72026-03-26CN122169207A2026-06-09梁鹏欢49外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610384533.72026-03-26CN122304021A2026-06-30梁鹏欢、张海洋50外延过程中改善硅片的颗粒污染的方法、系统及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384864.02026-03-26CN122304024A2026-06-30王娜、金柱炫、俎世琦