国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种阶梯形形貌的形成方法、半导体结构及半导体器件”的专利，公开号CN122971193A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种阶梯形形貌的形成方法、半导体结构及半导体器件，涉及半导体制程技术领域；包括在包括衬底和初始氧化层的初始结构上形成第一抗反射薄膜；基于具有多个预设工艺窗口的预设光罩，在第一抗反射薄膜上形成图案化光刻胶；根据图案化光刻胶，对第一抗反射薄膜和初始氧化层进行刻蚀，在初始氧化层中形成深度不同的多个刻蚀窗口，得到中间氧化层，各刻蚀窗口的深度与各预设工艺窗口的关键尺寸相关联；去除图案化光刻胶和第一抗反射薄膜；在中间氧化层上形成第二抗反射薄膜；对第二抗反射薄膜和中间氧化层进行刻蚀，形成具有阶梯形形貌的氧化层。本发明引入两层抗反射薄膜，采用一套预设光罩一次曝光即可，提升了生产效率，降低了成本。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息406条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员