国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122995634A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括刻蚀底部金属层顶部的部分厚度材料，在各个底部金属层顶部形成第一凹槽，增大了底部金属层和第一介电层顶部的距离，并通过在第一凹槽中形成盖帽层，使各个底部金属层顶部与外部通过盖帽层进行隔离；刻蚀第二介电层，形成位于第二介电层顶部的沟槽和位于沟槽底部部分区域的开口，且开口露出部分底部金属层顶部盖帽层部分区域，由于在不需要形成连接的邻近底部金属层顶部形成有盖帽层，使得开口侧壁至该邻近底部金属层顶部的距离也增大，使得互连层和该邻近底部金属层顶部之间保持较大的安全距离，降低了互连层和该邻近底部金属层顶部之间介质击穿的风险，提高了半导体结构的电学性能。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息736条，此外企业还拥有行政许可128个。

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作者：情报员