国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为“高效碳化硅单晶生长的坩埚结构”的专利，公开号CN122980018A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种高效碳化硅单晶生长的坩埚结构，属于半导体材料制备技术领域。为解决现有PVT法碳化硅生长中单炉产出效率低、原料利用率不足，且产能提升与晶体质量难以兼顾的问题，该坩埚结构包括呈轴向筒形的坩埚本体，坩埚侧壁内侧轴向中部设置原料容纳区，坩埚顶部与底部内壁分别固定有沿轴向对称分布的顶部籽晶与底部籽晶，坩埚外周环绕设置轴对称桶状加热组件，加热组件轴向中部与原料容纳区位置对应，工作时形成中部高温、向两端对称递减的温场，使原料升华气相可双向输运至两个籽晶处结晶。该结构可配置多孔过滤板防护底部籽晶，适配三段式电阻加热或中部密绕感应线圈，可在保障晶体生长质量的同时提升单炉产能与原料利用率。

天眼查资料显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司，成立于2018年，位于广州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本35680万人民币。通过天眼查大数据分析，广州南砂晶圆半导体技术有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可68个。

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作者：情报员