旺宏电子申请一种存储器装置及其数据存取方法专利,提供高性能以及高容量的储存媒介
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国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置及其数据存取方法”的专利,公开号CN122991224A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本发明提供了一种存储器装置及其数据存取方法。存储器装置例如为三维与非式闪存,且提供高性能以及高容量的储存媒介。数据存取方法包括:在读取动作中,施加读取电压至多个选中存储单元,其中选中存储单元分别用以储存多个根据写入数据所产生的多个子数据;以及,感测选中存储单元所产生的至少一读取电流,并根据至少一读取电流以产生读出数据。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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