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10月27日，据台媒《工商时报》援引供应链消息人士报道称，台积电计划将CoWoS先进封装报价上调10%至20%。

CoWoS是将逻辑芯片与高带宽内存（HBM）集成于同一封装内的关键技术。虽然此前CoWoS产能主要服务于AI GPU，如今需求已延伸至服务器CPU以及定制化AI芯片（ASIC）。英伟达、AMD、博通等AI芯片厂商的高端产品均高度依赖这一工艺。

与此同时，AI芯片测试周期更长，进一步加剧了先进封测产能的供给压力。封测芯片设备交期也从3至6个月延长至6至8个月，设备供应商难以快速扩产响应。

据业内人士透露，在CoWoS供需失衡之下，台积电下游客户已无暇砍价，“只要能承诺交期便下单”。

台积电董事长魏哲家在10月15日的第三季度法说上表示，台积电CoWoS依旧是客户首选，同时台积电也是目前唯一实现五倍光罩规模量产且良率优异的厂商，并将持续开发九倍、十四倍光罩尺寸方案及推进CoPoS技术。

目前，台积电也在持续积极扩大CoWoS产能。分析师预计，台积电2026年CoWoS月产能有望突破13万片晶圆，2027年进一步提升至20万片。

另一个反映台积电CoWoS涨价的侧面信号是，往年台积电年度设备采购通常会要求供应商降价或变相增加功能，但今年并未重新议价，直接按原有价格下单，表明当前需求强劲程度已使成本管控让位于产能锁定。

若CoWoS涨价落地，英伟达、AMD及博通等相关客户的封装成本将直接上升。最终影响取决于各家公司与台积电的合同安排、自身产品定价能力及成本转嫁空间。

值得一提的是，在先进制程方面，此前传闻显示，台积电明年也计划涨价5%～10%。

在尖端制程方面，根据台积电提交给2026年12月IEDM（国际电子器件会议）的论文摘要显示，其A14 NanoFlex Pro平台将实现“全球最小SRAM”，高密度6T SRAM位单元尺寸小于0.017平方微米，较N5世代约0.021平方微米的水平缩减超过19%。

与已量产的N2节点相比，A14在同等功耗下速度提升10%至15%，或在同等速度下功耗降低25%至30%，逻辑密度提升约20%，SRAM密度提升约19%。A14是台积电继N2之后的第二代GAA纳米片晶体管工艺，搭载NanoFlex Pro标准单元架构。

台积电目前正在试产A14制程，以评估节点可行性并让客户在台积电生产环境中检验自身设计的实际表现。

台积电此前曾披露，A14制程内部验证载具已展现接近90%的器件性能，256Mb SRAM良率接近90%，客户流片活动进度早于原计划。A14计划在2027年启动风险试产，2028年进入大批量生产。

编辑：芯智讯-浪客剑