国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“吹扫组件及半导体薄膜沉积设备”的专利，公开号CN122979861A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种吹扫组件及半导体薄膜沉积设备，该吹扫组件应用于包括反应腔体和加热盘的半导体薄膜沉积设备，加热盘设于反应腔体中，该吹扫组件包括上连接件、下连接件、波纹管和气体管路，上连接件和下连接件分别连接于波纹管的轴向两端，上连接件用于连接于反应腔体的底部，波纹管与反应腔体内部连通。下连接件上开设有具有进气口和出气口的吹扫通道，出气口与波纹管内部连通，进气口与气体管路连通。气体管路通入的吹扫气体经吹扫通道向波纹管和反应腔体的内部吹扫，从源头上抑制其在加热盘下方及波纹管内的堆积，以阻挡并冲刷向下扩散的反应物及副产物，抑制其在加热盘下方及波纹管内的堆积，减少颗粒污染和提升产品良率。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本336201.367794万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息593条，此外企业还拥有行政许可20个。

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作者：情报员