国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN122995541A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。接收基板及第一图案化结构，其中基板包括第一区域及与第一区域相邻的第二区域，并且第一图案化结构在基板的第一区域上。形成第一材料层以覆盖基板及第一图案化结构。形成蚀刻停止层在第一材料层上。形成第二材料层在蚀刻停止层上。平坦化第二材料层以暴露在第一区域上方的蚀刻停止层。蚀刻蚀刻停止层以暴露第一材料层的第一部分，及蚀刻第二材料层以暴露在第二区域上方的蚀刻停止层。蚀刻第一材料层及蚀刻停止层以暴露第一图案化结构。通过使用所述方法，由于不同图案密度所导致的阶差可以被减小或消除。

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作者：情报员