中国光刻机实现重大突破，一直是中国人关注的焦点，从90nm至65nm，为了实现光刻机技术的突破，我们用了大约 6 年时间，然而从65nm至28nm，我们却仅仅只用了四个月的时间，这一消息震惊国人，为什么这么快？难道说14nm、7nm甚至是5nm、3nm，哪怕是2nm也用不了多久了？
中国光刻机取得重大突破，65nm 光刻机技术在 2024 年 9 月被正式公开，当时工业部将其列入了国产氟化氩光刻机，其核心技术指标显示分辨率≤65nm，套刻≤8nm 。然而让人万万没有想到的是，短短四个月，又迎来了中国28nm光刻机正式对外出售的好消息。
可能有人要问了，这些光刻机都要卖给谁？可以说，无论是中芯国际还是华为，都是这些光刻机的客户，至于部分友好国家和地区的企业，虽然他们也是我们的潜在客户，但是我觉得为了防止国家核心机密技术被泄露，暂时也许不会对他们进行出售。
为什么要这么说呢？其实28nm光刻机所掌握的核心零部件，已经实现了90%纯国产化，如高精度光学镜头、浸没系统、激光源等均已实现自主研发。就连研发成功 DPP-EUV 光源技术 ，这也是 EUV 光刻机的 “心脏” 部件，此前一直被国外卡脖子，该技术的突破为我国高端光刻机的发展提供了可能。
当然这还不能与荷兰的光刻机相比较，因为我们成功突破的是 28nm 浸没式光刻技术，与荷兰ASML的EUV光刻机差距还很明显，不过好消息是，这一技术的实现，意味着中国在中端芯片制造领域拥有了更大的自主权，不仅能够满足汽车电子、物联网设备等众多领域对芯片制程的需求。而且还能在被美国的限制下生产中端芯片产品。
特别值得一提的就是，我们生产的是实现28nm的光刻机，并且90%自主国产化，而荷兰的EUV光刻机，虽然可以制造5nm，甚至是3nm芯片产品，可是其国产化的技术比例仅仅只占10%，几乎90%的核心技术不是来自美国就是来自德国，还有很多技术是来自日本。
这也说明了一个问题，中国是唯一一个能够实现100%自主研发的国家，相信90%国产化只是暂时的，未来中国势必能向100%前进。
那么问题来了，这离我们研发14nm光刻机，还需要多少时间呢？它究竟在哪些方面存在难度？
目前很难确切预估研发出 14nm 光刻机还需要多久。如果研发进展顺利，在持续加大研发投入和技术创新的情况下，有望在未来 3 至 5 年取得重要突破。
它的难度主要体现在光源技术挑战、光学系统精度要求、机械系统稳定性与精度、系统集成与优化、工艺与材料限制。
光源技术的挑战，也就是美国的紫外光源技术，需要更高功率、更短波长的光源，其产生和控制技术难度极大，因为涉及到激光等离子体物理、光学等多学科领域的前沿技术。
光学系统精度，主要是对光学镜头的加工精度、像差控制以及系统的装调精度等提出了极为苛刻的要求，14nm 光刻机的光学系统需要达到更高的分辨率和精度。
特别是系统集成和优化，光刻机是一个复杂的系统工程，需要将光源、光学系统、机械系统、控制系统等多个子系统进行高度集成和优化，确保各部件之间的协同工作和性能匹配。
最后就是原材料，在光刻工艺和材料方面，如光刻胶的性能、掩模版的制备等，也需要进一步研发和创新，以满足 14nm 制程的要求。
总之，难度是有的，而且还存在许多不确定性。一方面，不能确定能否在短时间内解决众多技术难题。另一方面，不确定光刻机技术什么时候会被淘汰。
比如现在美国的量子芯片技术，已经实现了相比传统计算机性能的几万倍，甚至是几亿倍的提升，如此高强度的算力，或许已经不是传统芯片技术能比了，真到了那个时候，不要说我们研发光刻机技术，荷兰的光刻机技术也要被淘汰了。
不过我们不能因为存在技术难题，存在不确定因素，就不去研发这项技术，毕竟那个时候只是那个时候，现在这个阶段，我们必须拿出全部精力，说什么也要在光刻机领域不断突破，只有这样，我们才能缩短与国外厂商的差距，才能让中国芯片技术变得越来越强，才能不被美国卡住脖子。对此，您怎么看？
12-20/11:20
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