新 闻1: 三星2nm工艺良品率持续提升,目前已超过40%

此前有报道称,三星在2nm(SF2)工艺的测试生产中实现了高于预期的初始良品率,达到30%以上。三星计划在2025年第四季度量产2nm工艺,为Exynos 2600的大规模生产做好准备。

据TECHPOWERUP报道,近日三星2nm工艺开发团队取得了令人满意的实验性生产里程碑,开发当中的2nm工艺在良品率方面的表现比之前的3nm工艺要更好,2nm工艺的良品率已经提升到40%以上。按照目前的推进速度,有可能刚好赶上Exynos 2600的量产。

虽然三星在2nm工艺上有了不错的进展,但是这种表现并不足够令人满意。竞争对手台积电(TSMC)在去年12月对2nm工艺的试产当中,良品率就已超过60%,传闻现在已提升至70%至80%,接近于量产的水平。

SF2集成了三星第三代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,相比于SF3(3nm),性能提高了12%,功率效率提高了25%,芯片面积减少了5%。三星还打算在2nm制程节点上引入“BSPDN(背面供电网络)”技术,将电源轨置于晶圆的背面,以消除电源线和信号线之间的瓶颈,解决FSPDN(前端供电网络)造成的前端布线堵塞问题,进一步提升性能和能效,并缩小芯片面积。

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三星选手又开始了它的每日翻身计划!这次的节点是哪里?哦!是2nm!!

三星翻身真的比当年AMD还要频繁在7nm、5nm节点失利之后,三星先后喊出了3nm反超和2nm反超的口号,结果到现在,三星的3nm工艺都没能达到量产要求……

不过或许是开了窍?三星本次宣称自家2nm工艺的良率已经超过了40%,这可比之前的3nm良率都高了,曲线超车还是瞎几把扯??我不好确定……

新 闻 2: 三星已开始1nm研发工作,目标2029年量产

上个月有报道称,三星在先进制程研发和量产上可能面临更大的危机,变得更为糟糕。原计划2027年量产的SF1.4(1.4nm级别)工艺可能会被取消,传闻这一决定是三星在SF3持续的良品率问题,并且关闭了未充分利用的5/7nm工艺产线后做出的,以减少亏损。

据Wccftech报道,三星已经开始1nm的研发工作,代号“Dream Semiconductor Process”,暂时还没有出现在半导体制程技术的路线图上。为了加快新工艺的开发,三星还组织了专门的团队,目标是2029年实现量产。

有消息称,三星之所以取消1.4nm工艺,很大程度上是为了保证2nm工艺的进度。按照之前的说法,目前三星2nm工艺的初始良品率已达到30%以上,希望能在2025年下半年能进一步提升良品率至稳定量产的水平,为Exynos 2600的量产做好准备。

相比之下,竞争对手台积电(TSMC)的势头越来越猛。台积电在去年12月已经对2nm工艺进行了试产,良品率超过了60%,大大超出预期。上个月台积电又在中国台湾高雄楠梓科学园区举行了“2nm扩产典礼”,这是其第二条2nm生产线。

与此同时,台积电还在为1.4nm的生产做准备,计划今年在新竹宝山工厂(Fab 20)建立一条试产线,另外宝山的P3和P4的生产线未来也会从2nm升级至1.4nm。此外,台积电还打算在中国台湾台中科技园区兴建Fab 25,作为1.4nm的生产中心,建造P1到P4四座工厂,其中P1目标2027年进行风险试生产工作,2028年末全面投产。

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不过三星开始准备战未来倒是真的,虽然自家的3nm、2nm都订单甚少,但这也不影响三星展望1nm的美好时代嘛~

此前有消息称三星的SF1.4将会在2027年量产,但三星似乎不再使用这一技术路线,新的1nm级别工艺在最近开始了研发工作,且大概率会在2029年正式量产。看如今台积电的速度,如果2029三星真能量产1nm级别的半导体芯片,倒也不算落后,但具体能不能按照三星的预期执行……只能说希望吧。

新 闻3: 传三星为NAND和DRAM产品线制定新的定价策略:计划涨价3%至5%

近日美光全球销售高级副总裁Mike Cordano向渠道和合作伙伴发函,确认上调DRAM和NAND闪存产品的定价,预计涨幅在10%~15%。原因是存储器市场开始进入复苏阶段,市场供应紧张,因此选择涨价。其实更早之前就有消息称,三星和SK海力士等厂商均有类似打算。

据Wccftech报道,有业内人士透露,三星已经为NAND闪存和DRAM产品线制定新的定价策略,覆盖全球主要客户,价格将在当前基础上提高3%~5%。部分客户已经开始了谈判,主要与当前的地缘政治紧张局势有关,关税和贸易不确定性很可能导致未来数月存储器价格飙升。

有分析人士称,去年存储器全年供应过剩,不过随着年底主要供应商选择减产,从而让市场供应量减少,不过DeepSeek的出现让中国大陆地区的人工智能(AI)设备需求提升,而且伴随工业自动化,半导体行业的整体需求也在逐渐增加。

今年截止至3月,DDR4内存的价格已经连续四个月保持相对平稳的状态,而适用于高性能PC和企业设备的DDR5内存,价格上涨了大概12%,同时NAND闪存的价格也上涨,涨幅在9.6%,已经连续三个月呈上升趋势。

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半导体制造要翻身,基本盘也不能丢。三星现在的基本盘就是存储领域的优势了,虽然DRAM被SK海力士反超,但并不影响三星赚钱的脚步,这不,新一轮涨价可能要来了。毕竟新研发需要新投入,三星在挣钱的项目上多薅点也方便可能的“输血”出现,就是这下子DRAM和NAND的涨价估计是逃不掉了。

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