目前全球仅有ASML一家能够研发出EUV光刻机。
EUV的光刻机，采用的是LPP-EUV光源方案，也称之为激光等离子体激光等离子体EUV光源（LPP）。
它的原理，是通过30kW功率的二氧化碳激光器，轰击锡金属液滴，将这些锡珠再蒸发成等离子体，最后产生13.5nm波长的EUV光线。
然后再通过蔡司的物镜系统，将这些光线收集起来，控制其方向、能量等，再去照射硅晶圆，将光掩膜板上的芯片电路图，投到硅片上。
这个过程中，需要高功率的二氧化碳激光器，需要锡滴（在 500,000ºC 下），还需要蔡司的物镜系统，使的整个系统庞大复杂，功耗巨大，能量转化又非常低，EUV光刻机的功率非常高。
所以一直以来，大家都希望有更多的方式，来形成这个EUV光源系统，替代掉现有的这种LPP-EUV方案。
其中基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统，也就是FEL-EUV系统，被大家寄以重望，认为或能够替代掉ASML现有的LPP-EUV方案。
FEL的原理，是用粒子加速器将电子加速到近光速，通过磁场产生相干光，这样需要的功率更低，且理论上产生的光源，可以更短，能够将现有的13.5nm推向6nm乃至更短波长。
研究表明，FEL-EUV方案的成本，可能是LPP-EUV方案成本的二分之一，运营成本更是只有十分之一，同时FEL无实体靶材消耗，避免锡滴污染光学镜片，维护成本大幅降低，远比LPP-EUV方案更为优秀。
所以目前像美国、日本、中国，都在研究这个FEL-EUV方案，特别是中国，同步辐射加速器已实现250W的FEL路线输出。
而近日，有媒体报道称，马斯克可能会在他建设的TeraFab晶圆厂中，采用这种FEL-EUV方案，而不是ASML的LPP-EUV方案，马斯克还在社交媒体发文回应称“FEL FTW”（FEL必胜）。
要知道马斯克计划将它的TeraFab晶圆厂建设成为全球最大的晶圆厂，需要的不只是几台EUV光刻机，而是几十几百台EUV光刻机。
那么对于马斯克而言，采用FEL-EUV方案，那么如果采用FEL-EUV方案，这种FEL系统产生的光线，可以集群供多台的EUV光刻机使用，而不是一个EUV建一个LPP光源，这样使用成本更低、效率更高。
当然，目前FEL-EUV方案，还没能形成稳定的商用，但如果马斯克愿意，用投入大资金来研发，说不定会很快让其落地，那么ASML的好日子，可能就真的不多了，现有的LPP-EUV光刻机，就真的要被马斯克颠覆了。
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