前沿导读
荷兰高科技学院董事总经理瑞尼·雷吉梅克在接受采访时表示，发展国产的光刻技术确实可以学到很多，但是把研发光刻机的钱投资到其他领域或许会有更好的效果。你当然也可以去复制ASML的技术路线，但你越是复制，你就越落后。探索一些新技术可能会有回报，如果只知道照搬复制，那么最终结果只能是沦为他人的跟随者。
复制技术
通过逆向工程的方法去复制竞争对手的技术设备，并且在后来的发展中压制对方，这个情况是真实存在的。
80年的光刻机霸主是美国GCA公司，其次是美国的珀金埃尔默公司。
1978年，GCA公司推出了世界第一台自动化步进投影式光刻机，分辨率达到1:10，并且每曝光完一块芯片后，自动挪到下一块。尽管该光刻机的售价达到了45万美元一台，但是依然供不应求。虽然该产品不是行业内的第一台曝光机，但是该产品开创了具有现代意义的光刻机产品，后续的DUV和EUV光刻机均属于该类型的产品。
随着光刻机进入投影时代，镜头的质量尤为重要。日本的佳能和尼康是传统的光学企业，在光学镜头领域有着先天优势，所以这两家企业在日本政府推动的超大规模集成电路计划中成为了指定的光刻机制造商。
在起步阶段，尼康为了缩短研发时间，便与日本NEC公司达成合作，以NEC公司的名义采购了一台美国GCA的光刻机，随后该光刻机被尼康团队的工程师进行拆解，通过逆向工程的方法推导出了整个光刻机的制造流程。
1981年，尼康首款光刻机宣布上市。但是技术机构与购买客户都发现尼康的光刻机与GCA的光刻机非常相似，从框架到晶圆台，从晶圆台到对准系统，几乎一模一样。为了压制GCA，尼康还破天荒的搞起来了客户服务。
GCA的光刻机里面只有一套说明，而尼康的光刻机里面除了说明，还有5名工程师的服务包，这极大增强了尼康光刻机的可靠性与市场口碑。
彼时的美国GCA对于尼康复制其技术的行为毫不在意，并且还宣称尼康的光刻机不可能达到GCA的水平，尼康的光刻机看似卖的不错，实际上都是日本国内企业自己消化了。
随着日本半导体技术的崛起与美国企业的狂妄自大，GCA开始走下坡路，让出来的市场份额被日本企业吞并了一大半。尼康凭借着照搬复制的方法，成为了光刻机产业新一代的霸主。美国GCA由于经营问题被硅谷集团收购，随后硅谷集团又在2001年被荷兰ASML收购。
2008年，ASML宣布与台积电联合开发的浸润式光刻机NXT：1950i研发完成准备交付。该设备采用了台积电研发处长林本坚新开创的浸润式技术，照明波长为134nm，并且同时支持双工作台运行。
浸润式光刻机的推出，直接革了日本光刻机的技术命脉，ASML接替尼康和佳能，成为了光刻机产业的龙头老大。尼康在后来也推出了浸润式光刻机，但是ASML又制造了EUV光刻机，EUV的推出，让ASML彻底站稳了光刻机老大的地位。
技术革新
现在中国芯片产业所存在的最大瓶颈就是先进的光刻机设备，制造国产7nm芯片可以用ASML的浸润式加上自对准多重图案化技术来解决，但是想要继续发展晶体管数量更多、性能更强并且涉及到ai训练的先进芯片，EUV设备是必须要解决的问题。
继续沿用老方法所带来的后果一方面是性能提升幅度小，另一方面就是良品率很低，经济投入巨大。
想要解决现在的困境，可行的路线有两条。
一条是走传统光刻技术，采用与ASML一样的LPP技术（激光轰击锡滴产生等离子体），或者是采用LDP技术（激光诱导放电等离子体），另一条路线就是采用纳米压印等非传统的技术手段。
采用与ASML一样的LPP技术，会涉及到国外的技术专利，单是蔡司的光学成像专利就已经达到了1500项以上，除此之外还有ASML的对准专利和美国西盟的激光器专利。如果走这条路线，那么专利壁垒是一个困难度极高的挑战，需要从头开发各项零件，这也是国产EUV光刻机研发20年以上的核心原因。
LDP技术已经有国内企业在持续推进，但是由于其采用的技术逻辑与主流的LPP不同，整个供应链都需要重新调整，还需要花费大量时间解决设备量产和芯片良率的问题。
而纳米压印属于非传统路线，目前只有日本佳能和中国璞璘科技在进行商业化发展。
佳能已经将纳米压印技术应用到先进存储芯片的制造中，由于先进逻辑芯片的每层图案复杂，而且图案样式都不一样，采用纳米压印技术会导致其出现图案偏差从而降低良品率，所以纳米压印一直没有成为主流的芯片制造技术。
璞璘科技的纳米压印设备已经交付给了国内特色工艺的客户进行使用，市场化发展良好，但目前的技术设备还无法解决先进逻辑芯片的制造问题。
