现阶段，内存与固态硬盘价格持续暴涨，半导体行业正处于由人工智能和企业级需求共同驱动的严重短缺周期内。
无晶圆厂（fabless）芯片设计公司对先进制程的需求持续激增，这直接导致台积电等主流代工厂面临严峻的产能瓶颈，产能缺口显著，无论是中下游厂商，还是广大消费者，都苦不堪言。
近日，ASML正式披露了一项重要技术突破，有望在一定程度上缓解当前的芯片产能紧张问题。具体来看，ASML研究团队已成功将极紫外光（EUV）光源功率从当前的约600瓦提升至1000瓦，实现了大幅技术跨越。
需要重点强调指出的是，这项技术绝非停留在PPT层面的概念，ASML EUV 光源首席技术专家 Michael Purvis表示：“该技术并非短暂的演示或实验性成果，而是一套能够在客户实际生产环境中稳定输出 1000 瓦功率的成熟解决方案。”
ASML进一步透露，如果将光源功率提升至1千瓦，预计单台EUV光刻机的晶圆处理速度有望从当前的约 220片/小时提升至330片/小时，同时基本维持单位成本稳定，有望在未来十年内将全球芯片产能提高50%以上。
更为关键的是，这一改进方案还有一个重大优势，那就是升级成本和难度相对较低，可依托ASML 现有的“生产力提升套件”落地实施。这些套件允许客户在不更换整机的前提下，对现场设备进行针对性优化升级。
不过，不同型号的EUV设备升级路径存在差异，对于部分较早推出的型号（如 NXE:3400C/D），受限于自身热管理能力，升级方案将进行针对性调整；而对于 NXE:3800E系列以及即将推出的高数值孔径（High-NA）机型 EXE:5000/5200，该增强光源有望更快实现规模化应用。
这意味着，下游的芯片制造厂商无需新增洁净室空间、也无需大规模更换设备，仅通过对现有设备进行针对性升级即可实现产能提升。因此对晶圆厂而言，无疑具备极高的经济效益。如果顺利推广，该技术有望显著缓解当前的芯片供应紧张局面，并重塑晶圆厂的运营经济模型。
尽管如此，该方案也带来了新的要求和挑战，包括更高的功耗需求、更严苛的冷却要求以及精细化的氢气流量管理等。但鉴于当前芯片产能短缺的紧迫性，全球主要晶圆厂普遍对这一突破持乐观态度，并迫切期待其尽快进入商用部署阶段。
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