在美国抛出MATCH法案，从过去禁最顶尖的EUV光刻机，到现在直接扩大到所有DUV浸没式光刻机之际，中国自主光刻机走到哪一步了，是全世界都很好奇的一件事。
此前荷兰科技媒体发了篇报道，标题直接点名主旨——中国囤积的光刻机，哪怕接下来甚至完全不买，用个5到10年都完全不是问题。
也就是说，国内企业提前预料到会出现制裁加码的情况，所以在多年前就已经超前向国外供应商采购设备进行囤货，囤积的设备用5到6年是没有问题的。
根据荷兰ASML的官方财报显示，在美国对中国企业实施制裁期间，中国大陆地区逐步成为了ASML全球最大的单一客户市场。
2021年，中国大陆市场占ASML总销售市场的16%，2022年的占比为14%。从2023年开始，这个比例开始上升。中国这几年的“扫货”有多猛？
到2023年底，ASML在中国的光刻机加上量测机台，差不多有1400台。2023到2024这两年，中国企业买的光刻机，比之前五年加起来还多。2024年的时候，中国直接成了ASML全球第一大客户，占了他们出货量的41%。
2025年，中国买走的光刻机金额高达80.1亿欧元，合计占到所有光刻机销售的33%。
ASML首席财务官罗杰·达森在2025年财报中表示，中国企业此前采购的设备已陆续交付完成，预计2026年中国市场将会回归平稳阶段，其销售占比将会回落到20%左右。
ASML的担忧很现实，2026年一季度，中国大陆市场的占比从去年第四季度的超三分之一降至19%，中国从ASML的进口金额一个季度就锐减了约120亿元。韩国在今年一季度超越中国，成为了当前ASML全球最大市场。一年前还是＂最大金主＂，转眼就被挤到第三。
从这个采购的趋势来看，中国早已囤购了5~10年的光刻机。
最先进的EUV没得买，浸润式DUV能造出啥好芯片？可以说，EUV 决定“天花板”，DUV 决定“地板”。EUV光刻机这条路走不通，我们也没必要死磕。
正如荷兰媒体称，目前中国已经囤积了足够多的浸润式光刻机，而这些浸润式光刻机，在采用多重曝光之后，实际上能制造的芯片，或许早就在5nm甚至更先进的工艺了。
虽说成本比EUV直接造高，良率也差点，但至少中高端芯片不会断供，无法继续采购进口的成熟设备，但中国企业还可以使用之前采购的设备继续制造芯片。售后体系被限制了，中国企业便建立自己的技术团队去维护设备，这就够了。
所以中国一直在做准备，在“囤积”光刻机，以应对未来可能发生的风险，为接下来可能的持久战囤积粮草。
中国这几年囤光刻机，根本不是恐慌抢购，而是一场精准的战略布局。手里有这些设备，未来5-10年就算彻底断供，晶圆厂也能正常运转，芯片也能正常生产。这段时间，正好能让国产光刻机慢慢成熟，从28nm往更先进的制程突破。
我们的国产设备也在加速应用，国产设备的技术成熟度以及制造效率都需要有一个提升的过程，以前我们在光刻机领域，还处于刚刚起步的入门水平，随着国产零部件一步步突破，上海微电子的28nm浸没式光刻机已在工艺验证阶段。
2026年4月，浙江大学成功研发万通道3D纳米激光直写光刻机，测量精度可达亚30纳米。在纳米压印领域，国内设备完成了10nm级自主交付。技术上“多点开花”的局面正在形成。
不仅如此，包括华卓精科以及科益虹源，都在光刻技术上取得关键突破，无论是磁悬浮双工件台还是193纳米准分子激光器，其核心零部件的技术都在逐步突破，在薄膜沉积、蚀刻、激光器这类辅助环节当中，国产设备的覆盖率逐渐提升起来。可以说，再给中国几年时间，将逐步实现全链条自主。
EUV方面，去年年底深圳也组装出了原型机，跑通了初步试验，某光学研究所正在自主研发EUV光源模拟器，11亿元产线已试运行，虽然与ASML的商用标准尚有差距，但已足够支撑原型机通过关键测试。另一家设备厂商则通过从国际市场引进顶尖研发人员，搭建了完整的投影物镜研究团队，虽然离量产还远，但已经迈出了关键一步。
美国也看出了门道，刚推出MATCH法案，想从买、用、修三个环节彻底封堵，但封锁越狠，反噬越厉害。
欧洲已经有人提议，要是美国继续加征关税，就限制ASML向美国出口光刻机。更何况中国手里还有稀土这张牌，ASML的光刻机离不开稀土，而全球九成的稀土精炼能力都在咱们手里，谁也离不开谁。
囤购5~10年的光刻机，我们处于黎明前的黑暗，还需要往下扎根
从我们大量囤购5~10年的光刻机可以知道，我们当前依然处于黎明前的黑暗，意味着我们为自己至少预留了5年的时间，这也意味着5年内，独立的浸润式DUV光刻机的量产并且普及，这个难度是有点大的。
毕竟，光刻机即便是不起眼的小零部件比如光源、镜头里头，也充满了美国的技术，包括德国蔡司的那套顶级镜片。
在一些高精度零部件领域，国产机器跟国际顶尖水平还有十年二十年的差距，咱们现在靠自己勉强能搞定90纳米的制程，距离世界最先进的步伐还远。
就拿EUV光刻机来说，这是用激光打出极紫外光的高端东西，波长只有13.5纳米，用在7纳米以下制程，能够实现更精细的刻画，比咱们现在193纳米波长的干式光刻机要先进得多。
人家已经能做到7纳米以下，咱们却连14纳米的完全自主化都还没搞定。美国的制裁已经加码到了不要脸的程度，这样会倒逼国产替代把自己逼到极限，预计在5到10年内，国产光刻机会越来越成熟、越来越争气。并且，咱们在非美供应链这条路上已经做足了功课、下足了本钱。
ASML现任CEO克里斯托弗·富凯，在2025年12月接受美国彭博社专访时指出，应该适度向中国企业输出技术以防止其自主研发形成竞争力，中国是一个大国，绝不会接受在技术方面被卡脖子的困境，必然会谋求进步。
在西方科技圈内部，过去一直是看低中国速度的，在很早的时候认为中国就算是拿了图纸也造不出来，后来他们说我们20年也追不上，后来改口说15年，现在变成了10年，中国可以造出EUV光刻机，那就是意味着他们正在重新评估中国芯片的「突围速度」。
在科技竞争的维度里，10年就是一个完整的产业周期。第一个3年是从无到有的原理突破。第二个3年是核心零部件的攻坚战，最后的4年，是整体设备的集成与迭代、优化产品良率，是在工厂里不断烧钱、最终打磨出高良率的芯片产品。
只不过，这个过程，注定是漫长而艰难的。目前整个行业还在咬紧牙关往前走，在疯狂囤货、优化工艺，在解决芯片零部件自主与产业门类上不断推进，在产品创新和商业模式创新角度去推进研发，一旦实现EUV光刻机的量产，整个世界的格局都会发生重大转变。
只不过这一天到来之前，注定有一段沉默的时光。有句话说的好：“这段时光，是付出了很多努力，却得不到结果的日子，我们把它叫做扎根。”这不是一蹴而就的，而是需要长周期的研发与坐冷板凳，但全产业链的齐心合力，必将形成中国半导体产业突围的强大力量，我们也最终会走到天亮的那一天。
