前沿导读
据美国科技媒体《Tom’s HARDWARE》指出，中国闪存制造商长江存储正在围绕中国国产制造设备建设生产线，而闪存芯片的制造不依赖先进EUV光刻机，这给了长江存储发展市场的机会。其目标是在2027年年底成为全球最大的闪存制造商，市场出货量超过三星和SK海力士。
不过TechInsights副总裁、韩国半导体专家崔正东表示，长江存储短期内跃居全球榜首的可能性低，虽然市场占比有所提升，但盈利能力和eSSD的市场占比较少，这两个是决定市场地位的核心指标。
市场占比
据国际分析机构Counterpoint数据指出，从2025年开始，一直到2026年第一季度，长江存储在全球闪存芯片的市场份额当中持续呈现出上升趋势，从最开始的8%，一路上升到了13%。
长江存储优秀的市场表现，得益于中国本土厂商对于闪存芯片的强大需求，再加上如今存储芯片的价格出现大幅上涨，这让长江存储在出货量和经济上面都得到了增长，其营收水平同比增长了将近445%。
而其他几家闪存芯片企业的市场份额，均出现了不同程度的上下浮动，要么保持此前的市场占比，要么出现占比下滑。
三星和SK海力士的市场占比最高，分别为29%和18%。剩下几家的市场份额非常接近，铠侠14%、美光、闪迪、长江存储的市场占比为13%，这几家企业将围绕全球第三大闪存制造商的位置展开竞争。
以上是截止到2026年第一季度的市场情况，而到了2026年第二季度，这个市场排名出现了明显变化。
三星在第二季度的闪存芯片市场份额当中依然排名第一，但市场占比从29%下滑至25%，其次是SK海力士和其子公司的合计市场占比为22%，出现了增长情况。而全球第三名的位置，被长江存储以14%的出货量成功抢占。剩下几家的排名则是铠侠、美光和闪迪。
据Counterpoint分析称，虽然长江存储的出货量和市场占比良好，但营收规模排名第五，落后于美光和铠侠。
其原因在于长江存储的产品组合以消费级产品居多，三星、SK海力士、美光吃掉了大部分高利润的企业级SSD（eSSD），而ai推理的爆发正在让eSSD成为抢手货，长江存储在这个领域的出货量不算太多，所以导致其营收水平落后于海外巨头。
不过长江存储正在推进企业级SSD的产品布局，完善整体的产品组合。
长江存储所面临的问题与长鑫存储类似，两家中国存储芯片制造商都是在消费级存储芯片上具有优势，但是在ai产业所需的eSSD和HBM上要逊色一些。这些高利润的ai存储芯片市场都被海外巨头抢占了许多，虽然我国存储芯片的规模越来越大，但实际的产品收入却没有海外巨头那么高。
国产体系
2022年，长江存储被美国拉入出口管制清单，切断了美国先进制造设备的供应。
2026年4月，美国推动的match法案又将长江存储列入重点管制对象，不但要求ASML停止向其销售所有的DUV光刻机，而且还对中国企业此前已购设备实施售后方面的限制，这波制裁完全是冲着压制中国企业产能扩张的目标来的。
闪存芯片与逻辑芯片存在根本差别，先进逻辑芯片在设计和制造上的难度更高，而且需要缩小晶体管尺寸来提升性能，所以需要用到分辨率更高的EUV光刻机。
而闪存芯片的制造需要对存储单元和电路进行叠层设计来提升存储容量，所以并不依赖于EUV光刻机，更依赖高深宽比的刻蚀机，仅使用DUV光刻机制造足矣。
长江存储的核心技术就是Xtacking晶栈架构，将"存储单元"和"外围控制电路"分别放在两片晶圆上独立制造，再用混合键合技术垂直互联在一起。
这种技术带来三个好处，一个是外围电路不再挤占芯片面积，芯片面积减少约25%，密度进行提升。另一个是两套流程并行前进，开发周期缩短约3个月、生产周期缩短20%。最后一个就是长江存储正在基于晶栈架构，打造国产设备的制造体系。
从2018年年底开发出晶栈架构1.0之后，长江存储的闪存芯片密度就开始大幅度提升。
2022年，长江存储基于3.0架构实现了232层闪存堆叠，领先所有海外企业的同时也遭到了美国制裁。
2024年年底，长江存储发布4.0晶栈架构，引入超连接技术，其芯片堆叠层数与美光最新的276层不相上下。
在进行技术研发的同时，长江存储从2022年就开始联合国产设备进行自主产业链的构建。北方华创、中微半导体、上海微电子、拓荆科技、华海精科这些中国大陆地区能叫出名字的设备企业，都是长江存储的合作伙伴。
2025年，三星与长江存储签署合作协议，将采用长江存储的混合键合技术制造下一代10nm闪存芯片。这是国际巨头首次与中国存储企业达成合作，付费使用中国企业开发的芯片制造技术，这也标志着中国存储芯片技术已经在产业中产生了质变影响。
美国的制裁限制了长江存储采购外部先进设备的机会，不过长江存储在受到制裁后牵头国产设备厂商搞自主制造体系。这种国产化体系的发展，也让长江存储成功从晶栈架构3.0升级为4.0，并且在产能和市场规模上进入较为稳定的发展阶段。
