今年初就有报道称，在人工智能（AI）热潮推动的存储器需求激增的大背景下，三星和SK海力士不断扩大投资，这一举动不只是限于韩国国内，也包括中国大陆地区。其中SK海力士在2026年下半年重启了大连二厂的扩建工程，未来将能生产238层NAND闪存，月产能目标为3万至5万片晶圆。另外SK海力士还投资位于无锡的DRAM工厂，计划将工艺从1znm（第三代10nm级别）升级至1αnm（第四代10nm级别）。

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据TrendForce报道，过去由于美国的限制措施，加上存储行情长期处于低迷状态，SK海力士选择暂停了相关扩建工程。不过随着工程重启，SK海力士依然需要面对安装新设备的问题，特别是来自美国供应商的设备。虽然美国政府已经批准了SK海力士2026年的申请，但是2027年的申请还没有通过。

与此同时，最近美国政府催促SK海力士加快在美国的投资建厂计划。有消息人士透露，SK海力士希望美国政府尽快批准向中国大陆地区出口美国供应商的设备，作为其在美国投资建厂的其中一个条件。

另外SK海力士的全资子公司Solidigm考虑最快明年在美国进行IPO，为未来可能赴美建厂筹集所需的资金。如果能扩大大连工厂的产能规模，将有助于提高Solidigm的估值，并确保美国新工厂投产前的产能，稳定市场供应。