大家都清楚，咱们国内目前能搞定的最牛芯片工艺，就是7纳米的水准。而且这7纳米的芯片，靠的不是别的，就是浸润式DUV光刻机，再加上多重曝光的技术才做出来的。为啥只能用这个？还不是因为美国在旁边卡脖子，咱们想买更先进的EUV光刻机，根本买不到，直接被限制死了。
反观国外的那些大厂，情况就不一样了。台积电手里有EUV光刻机，今年就要大批量生产2纳米芯片；英特尔也握着同款设备，早就把1.8纳米的18A工艺做成熟量产了；还有三星，同样有EUV加持，2纳米芯片也已经落地量产，人家的进度确实快。
这么一看，表面上咱们从7纳米到人家的2纳米，中间还隔着5纳米、3纳米这两个档次，说起来差不多落后两代。要是再算得细一点，还有6纳米和4纳米，其实这俩就是凑数的——6纳米说白了就是7纳米的升级版，4纳米也只是5纳米的小优化，没什么本质区别。
但说句实在的，要是只盯着“多少纳米”这个数字来评判芯片工艺好不好，那可就太片面了，根本没看到本质。
其实老早就有不少行业专家说过，不同厂家的芯片工艺，不能光看纳米数来定高低，因为很多厂家的工艺参数，其实都掺了水分，没那么真实。
最近就有人举了个很实在的例子：三星用EUV光刻机制出来的4纳米芯片，实际水平跟咱们用DUV光刻机、靠多重曝光做出来的7纳米芯片，压根没差多少。
不管是晶体管的密集程度，还是芯片实际能发挥的性能，三星这4纳米都跟咱们的7纳米不相上下，大家要是有兴趣去对比一下，就能发现两者的差距特别小。
更关键的是，三星的4纳米芯片问题一大堆——良品率低得离谱，而且发热特别严重，根本控制不住。也正因为这样，像高通这种大客户，吓得赶紧把订单转走，不敢再找三星代工了。而咱们的7纳米芯片就不一样了，良品率稳定，功耗控制得也到位，就拿华为后来出的那些麒麟芯片来说，装在华为旗舰手机上，用起来特别流畅，性能够强，还不怎么发热，体验拉满。
所以这么算下来，咱们国内的芯片技术，其实已经悄悄追上不少了。现在唯一的短板，就是没有EUV光刻机。只要咱们能拿到这款设备，想要追上甚至超过三星，估计也不是什么难事儿。
当然，也有人会说，用浸润式DUV光刻机，也能做出5纳米、4纳米的芯片。
这话理论上没毛病，但真要实际操作起来，难度可不小。因为曝光次数越多，生产速度就越慢，成本也会跟着往上涨，而且曝光次数一增加，良品率也会跟着下降。小批量生产还行，要是想大规模商业化生产，这么高的成本根本扛不住，根本不现实。
从这些事儿也能看出来一个道理：在芯片这个行业里，技术实力和核心人才，对任何一家企业来说，都是重中之重，缺一不可。
