可达4133 G.SKILL新一代DDR4超频皇者

原标题：可达4133 G.SKILL新一代DDR4超频皇者

受惠于 Intel 新一代 Skylake 微架构的内存控制器设计， DDR4 内存频率得以进一步提升，因此 G.SKILL 特别针对 Intel Z170 主板平台，推出全新 Trident Z DDR4-3600 CL16 16GB Kit 内存模块，型号为「 F4-3600C16D-16GTZ 」，采用全新 SAMSUNG B-Die 内存颗粒，配合自家 IC 筛选流程，过往只能在 LN2 极限超频才能达到的爆发极速，现在可以在风冷下轻松达成。

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全新 G.SKILL Trident Z 内存模块换上全新的散热片设计，银、黑面两面双色铝合金属所组成、厚度达 0.2mm ，散热片外壳表面采用 CNC 切割及发丝纹处理，并配合一体成形的鳍片式设计，有助于空气流通达至快速散热之效。

为确保内存模块的稳定性， G.SKILL Trident Z 「 F4-3600C16D-16GTZ 」在出货前皆经过严苛的出货测试，以确保系统的最佳效能表现，产品支持最新 Intel XMP 2.0 一键超频功能，同时针对市场上常见的 Z170 主板型号进行 QVL 测试，以确保内存具备绝佳稳定性。

10 Layers PCB 、 SAMSUNG 8Gb B-Die

G.SKILL Trident Z 「 F4-3600C16D-16GTZ 」规格为 DDR4-3600 CL16-16-16-36 2T ，工作电压为 1.35V ，采用 10 层 PCB Layers 设计提供更佳线路屏蔽效果，拆下散热器后可以看到内存 PCB 单面合共 8 颗 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」内存颗粒。

SAMSUNG 内存颗粒的编号，开首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 产品， A 代表 DDR4-SDRAM 系统内存、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 颗粒 ，其 Refresh 时间为 64ms ，紧接编码为 5 是 16 Banks 颗粒， W 代表工作电压采用 SSTL_12 接口， vDD 、 vDDQ 工作电压均为 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 颗粒。

后面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 颗粒，采用 Halogen & Lead Free 环保制程 Flip Chip 封装， C 代表为正常商用颗粒之工作温度范围为 0oC ~ 85oC ， PB 代表其速度为 0.938ns 即 DDR4-2133 ，规格为 CL15-15-15 ， G.SKILL 透过筛选程序，打造成 XMP 规格下 1.35V 工作电压可运作 DDR4-3600 C16 的内存模块产品。

市场上的 Z170 主板内存线路设计，未必每一片均针对高内存频率运作进行优化，因此 XMP 时序设定会偏向保守，主要是内存厂商为了提升兼容性，令 Sub-Timing 时序设定均偏向保守，建议进阶玩家们可以收紧 Sub-Timing 时序设定入手，性能将会明显提升。

效能测试︰

测试平台为 ASROCK Z170 OC Formula 主板配搭 Intel Core i7-6700K 处理器及 GALAXY GeForce GT630 绘图卡 ，操作系统则采用 Microsoft Windows 10 ，每一组内存设定必要经过 AMT64 测试检定才能当测试成功。

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 测试是现时各大内存模块厂商采用的测试标准，用作检出模块颗粒质量及兼容性的硬件测试卡，透过 12 个不同的数据读写 Loop Pattern 测试，可以分辨出模块无法通过测试的颗粒，是工厂级的内存测试。

由于高频率是非常大的考验，再进一步提升频率的因素已不再只是内存模块体质，还要视乎处理器内存控制器体质及主板内存走线设计，采用 1T 无论频率多少均需要更高的工作电压才能稳定运作，同时亦会局限了频率提升和时序调整空间，如果是 24X7 长时间使用的系统，笔者建议在 DDR4-3600 或以上设定为 2T 。

G.SKILL TridentZ F4-3600C16D-16GTZ 的超频能力非常强劲，在启动 XMP 2.0 Profile 设定后，可以不用提升电压 1.35V 稳跑 DDR4-3866 CL16-16-16-36 2T ， DDR4-4000 仅需要调升至 1.38V ，进一步提升至 DDR4-4133 则需要 1.45V ，并完成 1 小时的压力测试，以往需要在极冷下才能实现的设定，现在只需要在风冷下就能完成。

XMP 预设 Sub-Timing 虽然频率提升空间较大，但实际性能表现并不理想，因此笔者针对 TridentZ F4-3600C16D-16GTZ 内存进行微调，性能表现将明显上升，不过工作电压将略为增加，当超至 DDR4-3866 时需要把电压微调至 1.38V 、而 DDR4-4000 及 DDR4-4133 时则要提升至 1.42V 及 1.5V 。

笔者建议的 Optimzed SubTiming 设定

图上为 DDR4-4133 CL16-16-16-36 2T Optimized Sub-Timing 的设定样本，对于需要 24 X 7 长时间运作的，可考虑运作于 DDR4-3733 或 DDR4-3866 ，相较于 XMP 的默认值 Sub-Timing ，主要分别在于 tWR 、 tRFC 、 fFAW 及 tCWL 的参数收紧了。

内存读取性能方面，使用 XMP Default 的 Sub-Timing 设定，就算超频至 DDR4-4133 CL16-16-16 36 2T ，带宽亦只有 51,284MB/s ，性能相较 Optimized Sub-Timing 下的 DDR4-3600 CL16-16-16 36 2T 还要差，所以对于进阶玩家来说， XMP Default Setting 只是参考，慢慢微调将能发挥 SAMSUNG B-Die 的真正实力。

内存写入性能方面，在使用 Optimized Sub-Timing 设定后，写入带宽在 DDR4-4000 下成功突破 60,000MB/s 大关，性能表现十分惊人，对于绘图、运算等大量数据运算工作，将会有明显的性能差异。

内存数据抄写速度方面，频率提升带来非常明显的升幅，采用 Optimized Setting 后，由 DDR4-3600 CL16 约 47,902MB/s ，提升至 DDR4-4133 CL16 的 53,860MB/s ，收紧时序对内存数据抄写性能增长明显，而且表现更追贴 X99 平台 Quad Channel 。

Latency 方面，使用 Optimized Setting 后， DDR4-3600 CL16 的 Latency 竟与 XMP Default Setting 下的 DDR4-4133 相约，当超频至 DDR4-4133 CL16 Optimized Setting 后， Latency 更可低至 37.2ns 。

编辑评语︰

G.SKILL F4-3600C16D-16GTZ绝对是新一代 Z170 平台的超频皇者，采用了 SAMSUNG 全新 B-Die 颗粒，无论频率还是时序均拥有庞大的超频空间，而且内存颗粒非常吃压，在风冷下甚至可以在 1.9V 工作电压稳定运作，不少外国玩家更可以在风冷下达成 DDR4-3733 至 DDR4-4000 CL12-12-12 1T ，非常可怕的超频利器。■