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聚焦主业
聚焦主业 多元突破
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在半导体制造、航空航天等高端领域，关键零部件长期暴露于超高温、强腐蚀、高磨损的极限工况环境中。普通防护材料难以满足长期可靠性要求，而碳化钽（TaC）涂层凭借其卓越的耐温性、化学惰性与高纯净度，成为化合物半导体长晶与外延工艺中不可或缺的防护解决方案。
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碳化钽（Tantalum Carbide, TaC）涂层是一种超高温陶瓷涂层材料，通过化学气相沉积（CVD）工艺，在石墨、陶瓷等基体表面形成致密、均匀的防护层。
六项核心性能，定义了它的不可替代性——
熔点：3880℃，可在2400℃长期稳定服役
硬度：15–20 GPa（莫氏9–10，接近钻石）
耐腐蚀：化学惰性极强，耐受强酸、强碱、H₂、NH₃、SiH₄及腐蚀性等离子体
热导率：22 W/(m·K)
热膨胀系数：6.6×10⁻⁶/K
纯度：涂层致密无孔，杂质含量＜50ppm
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产品核心应用场景
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SiC单晶PVT生长:高纯净屏障
SiC单晶生长采用物理气相传输（PVT）法，典型工艺温度2200-2400℃，真空或惰性气氛。石墨坩埚、加热器等部件在高温下易发生氧化、粉化、杂质析出，导致晶体缺陷（微管、位错）升高，良率下降。
TaC涂层件的技术价值：
·耐温耐蚀：2400℃下长期稳定，隔绝高温腐蚀介质，石墨部件寿命延长3–5倍；
·高洁净度：涂层致密无孔，杂质含量<50 ppm，有效阻隔石墨杂质迁移，提升单晶质量与一致性；
· 热场稳定：涂层热导率与石墨基体匹配，避免热场畸变，温场均匀性提升~15%。
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MOCVD外延:工艺气氛的守护者
GaN基MOCVD外延工艺中，反应腔内壁、石墨基座、气体喷淋头等部件长期暴露于NH₃（腐蚀性）、TMGa（金属有机物）、H₂（高温还原气氛）环境中，无防护涂层时存在颗粒脱落、工艺污染等风险。
TaC涂层件的核心优势：
· 强化学惰性：耐受NH₃、SiH₄等腐蚀性气体，不与反应气体发生反应，保障外延薄膜纯度；
· 耐磨抗冲刷：硬度15–20 GPa，能抵御工艺气体高速冲刷，降低颗粒杂质产生，减少器件缺陷；
·定制化适配：可根据设备需求，在不同石墨基体上沉积可控厚度涂层，适配各类外延部件。
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01 | 产品核心优势
· 涂层均匀致密：厚度精准控制于30–50 μm，无针孔、无裂纹，附着力强；
· 超高纯度：杂质含量<50 ppm，满足半导体、航空航天等领域的超洁净要求；
·大尺寸适配：可适配直径达720 mm的大尺寸部件，覆盖主流设备规格。
02 | 依托自研装备的闭环验证体系
公司深耕SiC长晶设备与外延设备领域，拥有完整的工艺验证平台。TaC涂层件研发与验证可在自有的长晶炉、外延炉平台上直接完成，确保涂层性能数据来自真实生产工况，而非实验室理想条件。
验证体系优势：
· 快速验证：涂层制备完成后，直接上机实测耐温、抗腐蚀、防污染等关键性能；
·快速迭代：实测发现问题可立即调整工艺参数，优化周期短；
·工艺匹配：基于对公司设备与工艺的深度理解，可针对不同型号设备精准优化涂层指标，而非提供通用型产品。
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随着第三代半导体产业向大尺寸（8-12英寸SiC）、高均匀性（MOCVD大面积均匀外延）方向快速发展，装备关键零部件在极端工况下的长期可靠性成为制约工艺良率提升的重要瓶颈。TaC涂层技术凭借其极致的耐温性、化学惰性和高纯净度，为SiC长晶与化合物半导体外延工艺提供了经过工程验证的防护方案。本公司依托自身在SiC装备领域的深厚积累，将TaC涂层技术应用于真实生产工况的闭环验证，持续迭代优化涂层性能，致力于为行业提供更可靠、更长效的装备防护解决方案。
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