据韩联社11日消息，韩国SK海力士公司决定以总公司增资的方式向无锡的DRAM工厂投资1亿美元。知情人士对本社表示，太极实业（600667.SH）控股子公司海太半导体主要为海力士中国DRAM产品提供后工序服务，有望间接受益此次增资行为。

该知情人士对本社透露，海太半导体DRAM封装产能占海力士中国85%-90%，约占全球海力士 DRAM封装产能40-45%。2013 年，封装、封装测试、模组最高产量分别达到 4.31 亿颗/月（1GEq）、3.47 亿颗/月（1GEq）、411 万条/月（unit）。

随着海力士对无锡DRAM工厂投资，海太半导体随之扩产来匹配海力士中国DRAM产能也是顺理成章的事。

据悉，SK海力士社长朴星昱上月底向中国政府官员转交了公司投资计划书。这次投资的目的在于提高无锡DRAM工厂生产线的微细工艺技术。去年中国政府批准了SK海力士在2014年到2016年的三年间向无锡DRAM工厂投资25亿美元的计划。按计划，公司在三年内每年向无锡工厂投资8-9亿美元，而此次投资是其中的一小部分。